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دانلود کتاب Elektronik: Grundlagen

الکترونیک: مبانی
عنوان فارسی

الکترونیک: مبانی

عنوان اصلیElektronik: Grundlagen
ناشرDe Gruyter Oldenbourg
نویسنده
ISBN 9783110463156, 9783110463101
سال نشر2016
زبانGerman
تعداد صفحات392
فرمت کتابpdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل16 مگابایت

وضعیت : موجود

قیمت : 48,000 تومان

میانگین امتیاز:
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توضیحاتی در مورد کتاب



این کار مبانی الکترونیک را بیان می‌کند و تاکید خاصی بر تمرین دارد و همزمان آزمایش‌های متنوعی را با استفاده از ژنراتورهای تابع، اسیلوسکوپ و بسیاری از ابزارهای اندازه‌گیری ارائه می‌کند. فقط به طور خلاصه مبانی نظری را مورد بحث قرار می دهد.

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  • مقدمه ای جامع، کاربردی و قابل فهم برای الکترونیک ارائه می دهد

فهرست مطالب

Vorwort\nInhaltsverzeichnis\n1 Halbleitertechnik\n 1.1 GrundsätzlicheEigenschaften vonHalbleiterstoffen\n 1.1.1 Eigenleitung\n 1.1.2 Dotierung mit Akzeptoren und Donatoren\n 1.1.3 Störstellenleitung im N- und im P-Material\n 1.1.4 PN-Übergang als Prinzip der Halbleiterdiode\n 1.1.5 Schwellenspannung und Durchbruchspannung\n 1.2 Temperaturverhalten vonHalbleitern\n 1.2.1 Temperaturverhalten\n 1.2.2 Wärmeableitende Kühlkörper\n 1.2.3 Montage eines Transistors mit Kühlkörper\n 1.2.4 Berechnungen von Transistoren mit Kühlkörpern\n 1.2.5 Berücksichtigung der zulässigen Verlustleistung eines Bauelements im Kennlinienfeld\n2 Einschichthalbleiter-Bauelemente\n 2.1 SpezifischerWiderstand undTemperaturkoeffizient\n 2.2 NTC-Widerstände (Heißleiter/Thermistoren)\n 2.3 PTC-Widerstände (Kaltleiter)\n 2.4 Lasergetrimmte Temperatursensoren\n 2.5 Varistoren (VDR-Widerstände)\n 2.6 Hall- oder Feldplatten (Hallsonden)\n 2.7 Fotowiderstände\n 2.8 Dehnungsmessstreifen\n3 Dioden, Grundlagen und Anwendungen\n 3.1 Funktionsweise desPN-Übergangs\n 3.1.1 Diffusionsspannung\n 3.1.2 Kennlinie einer Diode\n 3.1.3 Statischer und dynamischer Innenwiderstand\n 3.1.4 Dynamische Aufnahme der Kennlinie\n 3.1.5 Einfache Messungen und Prüfungen an Dioden\n 3.1.6 Kennlinien verschiedener Dioden\n 3.1.7 Aufbau von Datenblättern\n 3.1.8 Begriffserklärungen zu Dioden\n 3.2 Gleichrichterschaltungen mit Dioden\n 3.2.1 Einweggleichrichtung\n 3.2.2 Zweiweggleichrichter\n 3.2.3 Brückengleichrichter\n 3.2.4 Drehstrom-Mittelpunkt-Schaltung\n 3.2.5 Drehstrom-Brückengleichrichter\n 3.2.6 Einphasengleichrichter mit Ladekondensator\n 3.2.7 Doppelweggleichrichter mit Ladekondensator\n 3.2.8 Siebschaltungen\n 3.3 Spannungsvervielfacherschaltungen\n 3.3.1 Delon- oder Greinacherschaltung\n 3.3.2 Villardschaltung\n 3.3.3 Kaskadenschaltung\n 3.4 Begrenzerschaltungen\n 3.4.1 Positive Klipperschaltung mit Diode\n 3.4.2 Negative Klipperschaltung mit Diode\n 3.4.3 Bidirektionale Klipperschaltung mit Dioden\n 3.5 ElektronischeSchalterfunktionenmitDioden\n 3.5.1 Diode als Schalter\n 3.5.2 Diodenschalter Typ I und II\n 3.5.3 Dioden als Entkopplungselemente\n 3.5.4 Diodendecodierer\n 3.5.5 ODER-Gatter in RDL-Technik\n 3.5.6 UND-Gatter in RDL-Technik\n 3.6 Freilaufdiode\n4 Dioden mit speziellen Eigenschaften\n 4.1 Z-Dioden\n 4.1.1 Grundsätzlicher Aufbau und Wirkungsweise\n 4.1.2 Statische Kennlinienaufnahme einer Z-Diode\n 4.1.3 Dynamische Kennlinienaufnahme von Z-Dioden\n 4.1.4 Spannungs-Stabilisierungsschaltungen mit Z-Dioden\n 4.1.5 Klipperschaltungen mit Z-Diode\n 4.1.6 Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden\n 4.1.7 Stabilität bei Eingangsschwankungen\n 4.2 Leuchtdioden\n 4.2.1 Wirkungsweise von Leuchtdioden\n 4.2.2 Aufbau von Leuchtdioden\n 4.2.3 Simulation von Leuchtdioden\n 4.3 Kapazitätsdioden\n 4.3.1 Wirkungsweise von Kapazitätsdioden\n 4.3.2 Frequenzabstimmung mit Kapazitätsdiode\n5 Transistoren\n 5.1 BipolareTransistoren\n 5.1.1 NPN-Transistor\n 5.1.2 PNP-Transistor\n 5.1.3 Spannungen und Ströme des Transistors\n 5.1.4 Herstellungsverfahren und Bauformen bipolarer Transistoren\n 5.1.5 Transistorgrundschaltungen\n 5.1.6 Zusammenfassung der drei Grundschaltungen\n 5.1.7 Grenz- und Kenndaten bipolarer Transistoren\n 5.1.8 Statische und dynamische Kenndaten\n 5.2 Vierpolgrößen vonTransistoren\n 5.2.1 Arbeiten mit h-Parametern\n 5.2.2 Vierpolgrößen der Leitwertmatrix\n 5.2.3 Kennlinienfelder eines NPN-Transistors in Emitterschaltung\n 5.2.4 Statische Kennlinienaufnahme eines NPN-Transistors in Emitterschaltung\n 5.2.5 Dynamische Kennlinienaufnahme eines NPN-Transistors in Emitterschaltung\n 5.2.6 Ermittlung der h-Parameter aus dem Kennlinienfeld\n 5.2.7 Arbeitspunkteinstellung\n 5.2.8 Arbeitsgerade für Gleich- und Wechselstrom\n 5.3 Kleinsignalverstärker\n 5.3.1 Gleichspannungsverstärker\n 5.3.2 Ansteuerung mit Rechtecksignalen\n 5.3.3 Gegenkopplung bei der Emitterschaltung\n 5.3.4 Ausgangswiderstand bei Stromgegenkopplung\n 5.3.5 Wechselspannungs- und Stromanpassung\n 5.3.6 Zweistufiger Verstärker\n 5.3.7 Zweistufiger Verstärker mit Gegenkopplung\n 5.4 Leistungsverstärker\n 5.4.1 Leistungsverstärker im A-Betrieb\n 5.4.2 Leistungsverstärker im B-Betrieb\n 5.4.3 Leistungsverstärker im AB-Betrieb\n6 Unipolare Transistoren (FETs und MOSFETs)\n 6.1 FET und MOSFET\n 6.1.1 Physikalische Funktionsweise des Sperrschicht-FET\n 6.1.2 Untersuchung eines N-Kanal-FET\n 6.1.3 Herstellungsverfahren und Bauformen von FETs\n 6.1.4 Grenz- und Kenndaten\n 6.1.5 Kennlinien in Source-Grundschaltung\n 6.1.6 Verstärkerschaltungen mit FET\n 6.1.7 Signalgegenkopplung\n 6.1.8 Der FET als Schalter und einstellbarer Widerstand\n 6.2 VMOS-Leistungstransistor\n 6.2.1 Aufbau von VMOS-Transistoren\n 6.2.2 Kennlinienfelder\n 6.2.3 Kennlinien des IGBT\n 6.2.4 Schaltvorgänge bei verschiedenen Anwendungen\n 6.3 Anwendungen von FET und MOSFET\n 6.3.1 FET-Verstärker in Sourceschaltung\n 6.3.2 FET-Verstärker in Drainschaltung\n 6.3.3 FET-Verstärker in Gateschaltung\n 6.3.4 Konstantstromquelle mit FET\n 6.3.5 FET-Vorverstärker\n 6.3.6 FET-Vorverstärker mit Stromgegenkopplung\n 6.3.7 Zweistufiger FET-Vorverstärker\n 6.3.8 FET-Vorverstärker mit Klangregler\n 6.3.9 Messvorverstärker\n 6.3.10 Feldeffekttransistor als Analogschalter\n 6.3.11 Differenzverstärker mit Konstantstromquelle\n 6.3.12 Differenzverstärker mit Darlington-FET-Eingängen\n 6.3.13 Differenzverstärker in FET-Technologie\n 6.3.14 Drainschaltung mit N-Kanal-MOSFET-Anreicherungstyp\n 6.3.15 Sourceschaltung mit N-Kanal-Verarmungstyp\n 6.3.16 MOSFET als Analogschalter\n 6.3.17 CMOS-Analogschalter\n 6.3.18 NICHT-Gatter in CMOS-Technik\n 6.3.19 NAND-Gatter in CMOS-Technik\n 6.3.20 NOR-Gatter in CMOS-Technik\n7 Integrierte Operationsverstärker\n 7.1 Analoge Verstärkerfamilien\n 7.1.1 Integrierte Verstärker\n 7.1.2 Interner Schaltungsaufbau von Operationsverstärkern\n 7.1.3 Betriebsarten eines Operationsverstärkers\n 7.1.4 Übertragungscharakteristik bei Operationsverstärkern\n 7.1.5 Betriebsarten für eine Mit- und Gegenkopplung\n 7.1.6 Invertierender Betrieb\n 7.1.7 Nicht invertierender Betrieb\n 7.2 Lineare Schaltungsbeispiele\n 7.2.1 Addierer oder Summierer\n 7.2.2 Subtrahierer oder Differenzverstärker\n 7.2.3 Integrator\n 7.2.4 Differenzierer\n 7.3 Statische Schaltungen mit Operationsverstärkern\n 7.3.1 Operationsverstärker als Komparator\n 7.3.2 Spannungsvergleicher im gesättigten Verstärkerbetrieb\n 7.3.3 Fenster-Komparator\n 7.3.4 Schmitt-Trigger\n 7.4 NetzgerätemitOperationsverstärker\n 7.4.1 Wahl der richtigen Spannungsreferenz\n 7.4.2 Einfache Referenzspannungsquellen\n 7.4.3 Konstantspannungsquellen\n 7.4.4 Einstellbares Netzgerät\n 7.4.5 Endstufe mit Darlingtonschaltung\n 7.4.6 Einstellbares Netzgerät mit gepuffertem Ausgang\n 7.4.7 Einstellbares Netzgerät mit Längstransistor\n 7.4.8 Parallelstabilisierung mit Operationsverstärker\n 7.4.9 Parallelstabilisierung für höhere Ausgangsströme\n 7.4.10 Konstantstromquelle mit Operationsverstärker\n 7.4.11 Konstantstromquelle mit Transistor\n 7.5 Messtechnik mit Operationsverstärker\n 7.5.1 Verstärker mit differentiellem Ausgang\n 7.5.2 Differentieller Verstärker mit differentiellem Ausgang\n 7.5.3 Instrumentenverstärker\n 7.5.4 Strom-Spannungs- und Spannungs-Strom-Wandler\n 7.5.5 Spannungs- und Strommessung\nLiteraturverzeichnis\nIndex

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